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    单向可控硅作业原理

    单向可控硅水性环氧树脂及固化剂进口水性的引脚区别

    单向可控硅的功用检测

    可控硅的运用留意事项

    双向可控硅的作业原理

    水性环氧树脂及固化剂进口水性

    单向可控硅作业原理修改本段

    可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间有必要加正向电压，二是操控极也要加正向电压。以上两个条件有必要一起具有，可控硅才会处于导通状况。别的，可控硅一旦导通后，即便下降操控极电压或去掉操控极电压，可控硅依然导通。

    可控硅关断条件：下降或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小保持电流以下。

    单向可控硅的引脚区别修改本段

    对可控硅的引脚区别，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比操控极引线长。从外形无法判别的可控硅，可用万用表R×1  或R×1K挡，丈量可控硅恣意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的规模）时，黑表笔所接的是操控极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。

    单向可控硅的功用检测修改本段

    可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应无缺；第二是当阴极与阳极间电压反向衔接时可以阻断，不导通；第三是当操控极开路时，阳极与阴极间的电压正向衔接时也不导通；第四是给操控极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把操控极电流去掉，仍处于导通状况。

    用万用表的欧姆挡丈量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判别。具体方法是：用R×1k或R×1 k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（操控极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，标明正反向漏电电流水性环氧树脂及固化剂进口水性愈小。假如测得的阻值很低，或近于无穷大，阐明可控硅现已击穿短路或现已开路，此可控硅不能运用了。

    用R×1k或R×1 k挡测阳极与操控极之间的电阻，正反向丈量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小标明可控硅击穿短路。

    用R×1k或R×1  挡，测操控极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如呈现正向阻值接近于零值或为无穷大，标明操控极与阴极之间的PN结现已损坏。反向阻值应很大，但不水性环氧树脂及固化剂进口水性能为无穷大。正常状况是反向阻值显着大于正向阻值。

    万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此刻万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的一起用表笔尖去瞬间短接操控极，此刻万用表电阻挠指针应向右偏转，阻值读数为1 欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针产生偏转，阐明该单向可控硅已击穿损坏。

    可控硅的运用留意事项修改本段

    选用可控硅的额外电压时，应参阅实际作业条件下的峰值电压的巨细，并留出必定的余量。

    1、选用可控硅的额外电流时，除了考虑经过元件的均匀电流外，还应留意正常作业时导通角的巨细、散热通风条件等要素。在作业中还应留意管壳温度不超越相应电流下的答应值。

    2、运用可控硅之前，应该用万用表查看可控硅是否杰出。发现有短路或断路现象时，应立即替换。

    3、严禁用兆欧表（即摇表）查看元件的绝缘状况。

    4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，而且确保所规则的冷却条件。为确保散热器与可控硅管心触摸杰出，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于杰出的散热。

    5、按规则对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

    6、要避免可控硅操控极的正向过载和反向击穿。

    双向可控硅的作业原理修改本段

    1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，剖析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成

    当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于扩大状况。此刻，假如从操控极G输入一个正向水性环氧树脂及固化剂进口水性触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2扩大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此刻，电流ic2再经BG1扩大，所以BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的成果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱满导通。

    因为BG1和BG2所构成的正反馈效果，所以一旦可控硅导通后，即便操控极G的电流消失了，可控硅依然可以保持导通状况，因为触发信号只起触发效果，没有关断功用，所以这种可控硅是不行关断的。

    因为可控硅只要导通和关断两种作业状况，所以它具有开关特性，这种特性需求必定的条件才干转化

    2,触发导通

    在操控极G上参加正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，构成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈效果的基础上，加上IGT的效果，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

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